- 製品カテゴリ
- 超短パルス(フェムト秒/ピコ秒)レーザー
- ナノ秒高エネルギーパルスレーザー
- 波長可変レーザー
- LD励起Qスイッチ固体レーザー
- DPSSレーザー一覧
- 手のひらサイズ電源一体型Qスイッチ固体レーザー
- 電源一体型Qスイッチ固体レーザー
- 高出力Qスイッチ固体レーザー
- Qスイッチ固体レーザー
- Qスイッチ固体レーザー
- 小型Qスイッチ固体レーザー
- Qスイッチ固体レーザー
- Qスイッチ固体レーザー
- 小型Qスイッチ固体レーザー
- パルスグリーン固体レーザー
- LD励起CW/Q-CW(連続発振/準連続発振)固体レーザー
- ガスレーザー
- Oclaro 高出力半導体レーザー
- レーザーアクセサリー
- 光学部品
- 単位・計算式
- アプリケーション
- 注目の製品
LD励起Qスイッチ固体レーザー
Qスイッチ固体レーザー HIPPO
HIPPO™シリーズは精密な材料加工向けに開発された、ハイ・パフォーマンスレーザーです。高出力に加え、短パルスであることで極めて高いピークパワーを得ることができます。パルス幅はIRで15nsec以下でありDUVでは11nsecとなり熱影響の少ない加工が実現できます。またIRから可視、UVに至るまでのビーム品質の良さは特筆すべきものがあります。外部設置の波長変換モジュールは、交換が容易で1064nmから532nm、355nmそして266nmへと要求される波長を簡単に得ることができます。
あらゆる微細加工のアプリケーションに最適です。
励起光源には、長寿命LD ProLite®を使用しています。LDはファイバーカップルされ電源内に格納されていますので、レーザーヘッドを再調整することなく交換が可能です。
・HIPPO 532-15
薄膜系太陽電池のa-SiやCdTeなどのP2、P3層への高速多分岐スクライビングに
・HIPPO 1064-27
薄膜系太陽電池の透明電極層(P1)のスクライビング、各素材のマーキング、シリコンウエハーダイシングなどに
薄膜系太陽電池のa-SiやCdTeなどのP2、P3層への高速多分岐スクライビングに
・HIPPO 1064-27
薄膜系太陽電池の透明電極層(P1)のスクライビング、各素材のマーキング、シリコンウエハーダイシングなどに
特長
・高繰返し、短パルス幅で熱影響が少ない加工が可能
・波長変換モジュールはユーザーによる波長切り替え可能、基本波(27W, 17W)から532nm(15W, 11W)、355nm(5W)、266nm(2W)
・パワーモニターとエレクトロ-メカニカル・シャッター内蔵
・ビーム位置、角度が保証されているので、設置が容易
・頑強でシールされたキャビティーは過酷な環境下でも安定に動作
・ProLite®使用により長寿命
・波長変換モジュールはユーザーによる波長切り替え可能、基本波(27W, 17W)から532nm(15W, 11W)、355nm(5W)、266nm(2W)
・パワーモニターとエレクトロ-メカニカル・シャッター内蔵
・ビーム位置、角度が保証されているので、設置が容易
・頑強でシールされたキャビティーは過酷な環境下でも安定に動作
・ProLite®使用により長寿命
アプリケーション
・マイクロ・ビア・ホール・ドリリング
・シリコン・マイクロマシニング
・太陽電池スクライビング、カッティング
・半導体ウエハーダイシング、スクライビング
・シリコン、セラミック、ポリマーなどの微細加工および穴あけ
・シリコン・マイクロマシニング
・太陽電池スクライビング、カッティング
・半導体ウエハーダイシング、スクライビング
・シリコン、セラミック、ポリマーなどの微細加工および穴あけ
| アプリケーション | HIPPO 1064-27 | HIPPO 532-15 | HIPPO 355-5 | HIPPO PRIME 266-2 |
|---|---|---|---|---|
| 薄膜太陽電池のP1スクライビング | ○ | |||
| 薄膜太陽電池のP2、P3スクライビング | ○ | |||
| セラミックス・クライビング | ○ | ○ | ||
| クリスタルシリコン太陽電池セル エッジアイソレーション | ○ | ○ | ||
| ICパッケージ カッティング | ○ | |||
| フレキシブル基板プロセッシング | ○ | ○ | ||
| ガラス切断 | ○ | ○ | ||
| ITO パターニング | ○ | |||
| 各種金属・プラスチックへのマーキング | ○ | ○ | ○ | |
| PCB ストラクチャリング・ 切り離し | ○ | |||
| サファイア (LED) スクライビング | ○ | ○ | ||
| シリコンウエハー ダイシング | ○ | ○ | ||
| シリコンウエハー マーキング | ○ | |||
| マイクロ・ビア・ホール・ドリリング | ○ |
機種
・HIPPO 1064-27: Qスイッチ Nd:YVO4 >27W@1064nm, <30nsec@ 100kHz
・HIPPO 1064-17: Qスイッチ Nd:YVO4 >17W@1064nm, <15nsec@ 50kHz
・HIPPO 532-15: Qスイッチ Nd:YVO4 >15W@ 532nm, <25nsec@ 100kHz
・HIPPO 532-11: Qスイッチ Nd:YVO4 >11W@ 532nm, <13nsec@ 50kHz
・HIPPO 355-5: Qスイッチ Nd:YVO4 >5W@ 355nm, <12nsec@50kHz
・HIPPO PRIME 266-2: Qスイッチ Nd:YVO4 >2W@ 266nm, <12nsec@50kHz 【NEW】
・HIPPO 1064-17: Qスイッチ Nd:YVO4 >17W@1064nm, <15nsec@ 50kHz
・HIPPO 532-15: Qスイッチ Nd:YVO4 >15W@ 532nm, <25nsec@ 100kHz
・HIPPO 532-11: Qスイッチ Nd:YVO4 >11W@ 532nm, <13nsec@ 50kHz
・HIPPO 355-5: Qスイッチ Nd:YVO4 >5W@ 355nm, <12nsec@50kHz
・HIPPO PRIME 266-2: Qスイッチ Nd:YVO4 >2W@ 266nm, <12nsec@50kHz 【NEW】